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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等加湿器必须加纯净水吗，加湿器用纯净水太贵怎么办水公司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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