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　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产品战狼3什么时候上映？进行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民(战狼3什么时候上映？mín)共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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