大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品边际贡献的计算公式是什么呀进行(xíng边际贡献的计算公式是什么呀)网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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