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　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安(ān)全审查携手三十七年风雨兼程下一句是什么 三十年风雨兼程下一句。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(携手三十七年风雨兼程下一句是什么 三十年风雨兼程下一句yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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