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　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产吉首市是地级市还是县级市呢 吉首市是几线城市品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国(guó)家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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